硅片方阻电阻率

晶圆电阻率测试仪，硅片电阻率测试仪，涡流法低电阻率分析仪，晶锭电阻率分析仪，迁移率（霍尔）测试仪，少子寿命测试仪，为晶圆、碳化硅、硅片、封装测试等生产和品质监控，提供一整套完整测试和解决方案。

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专注于非接触式半导体计量分析技术的开发和生产，攻克被国外卡脖子技术。

产品广泛应用于半导体、光伏、科研以及平板材料测试领域。借助公司*计量分析测试技术，为晶圆、碳化硅、硅片、封装测试等生产和品质监控，提供一整套完整测试和解决方案。

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一、

晶圆电阻率测试仪

硅片方阻测试仪

涡流法低电阻率分析仪

晶锭电阻率分析仪

非接触少子寿命

参数	方阻	电阻率（厚度180um）		方法
探头量程	1-600Ω/¨	0.018-10.8 Ω∙cm		涡流法
探头性能	动态重复性		静态重复性	示值误差
	1-80Ω/¨（0.018 - 1.44Ω∙cm） < 0.2%		<0.01%	±1%
	80-120Ω/¨（1.44 - 2.16Ω∙cm） < 0.3%
	120-300Ω/¨（2.16 - 5.4Ω∙cm） < 0.5%
	300-600Ω/¨（5.4 - 10.8Ω∙cm）< 1%
外形尺寸	上探头Ф20*145mm		下探头Ф20*50mm
信号采集	采样率：1500Sps
	采样个数：512点/单次
	采样缓存：8级数据记录缓存
	数据传输：RS232 RS485CANTCP/IP
	传输协议：Modbus Rtu/ Modbus Tcp 用户自定义协议等
供电电源	24V/1A

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