外延电阻率方阻测试仪：外延是半导体工艺当中的一种。在bipolar工艺中，硅片最底层是P型衬底硅（有的加点埋层）；然后在衬底上生长一层单晶硅，这层单晶硅称为外延层；再后来在外延层上注入基区、发射区等等...

衬底电阻率方阻测试仪：衬底，或称基片（substrate），是指在半导体器件制造过程中用来支持其他材料或结构的底层材料。衬底的物理性质包括其晶体结构、机械强度、热导率、膨胀系数等，而化学性质则涵盖其纯...

玻璃方阻测试仪应用ITO导电玻璃的时候，往往会提到一个重要的参数，这个参数就是：方阻，也称方块电阻。同时，我们也可以将其理解为ITO的表面电阻率。

金属薄膜方阻测试仪：金属薄膜方阻，方块电阻又称膜电阻，是用于间接表征薄膜膜层、玻璃镀膜膜层等样品上的真空镀膜的热红外性能的测量值，该数值大小可直接换算为热红外辐射率。方块电阻的大小与样品尺寸无关，其单...

氧化镓电阻率方阻测试仪：Ga2O3是一种透明的氧化物半导体材料，在光电子器件方面有广阔的应用前景，被用作于Ga基半导体材料的绝缘层，以及紫外线滤光片。它还可以用作O2化学探测器

氮化镓电阻率方阻测试仪：氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。

碳化硅电阻率方阻测试仪：1、电阻率ρ不仅和导体的材料有关，还和导体的温度有关。在温度变化不大的范围内：几乎所有金属的电阻率随温度作线性变化，即ρ=ρ0（1+at）。式中t是摄氏温度，ρ0是O℃时的电阻...

晶圆电阻率测试仪：电阻率（resistivity）是用来表示各种物质电阻特性的物理量。在温度一定的情况下，有公式R=ρl/S，其中ρ就是电阻率，l为材料的长度，S为面积。可以看出，材料的电阻大小与材料...

硅片电阻率测试仪：电阻率（resistivity）是用来表示各种物质电阻特性的物理量。在温度一定的情况下，有公式R=ρl/S，其中ρ就是电阻率，l为材料的长度，S为面积。可以看出，材料的电阻大小与材料...

非接触式单点薄层电阻测量系统。该装置包含一个涡流传感器组，感应弱电流到导电薄膜和材料。非接触式薄膜方块电阻测量仪试样中的感应电流产生与测量对象的片电阻相关的电磁场。电涡流技术不依赖于表面特征或形貌。此...

表面光电压法（Surface Photovoltage Method，简称SPV法）是通过测量由于光照在半导体材料表面产生的表面电压来获得少数载流子扩散长度的方法。其原理是：用能量大于半导体材料禁带宽...

无损方块电阻测试仪包含一个涡流传感器组，感应弱电流到导电薄膜和材料。非接触式薄膜方块电阻测量仪试样中的感应电流产生与测量对象的片电阻相关的电磁场。电涡流技术不依赖于表面特征或形貌。此外，非接触式单点方...