半绝缘碳化硅的方阻、电阻率范围通常在10⁵—10¹²Ω·cm之间，具体数值取决于材料纯度、掺杂工艺及测量方法。以下是关键信息：电阻率范围标准范围：10⁵—10¹...

电阻率是衡量材料对电流的抵抗程度的物理量。电阻正比于通路的长度，反比于导体材料的横截面积，电阻率就是这个比例常数。电阻率是电导率的倒数，是材料的基本特性。电阻率通常用希腊字母ρ来表示，量纲是ML3T-...

半导体晶圆行业的需求量也在不断增加。一般的晶圆片厚度有一定的规格，晶圆厚度对半导体器件的性能和质量都有着重要影响。而集成电路制造技术的不断发展，芯片特征尺寸也逐渐减小，带动晶圆减薄工艺的兴起与发展，晶...

高功率红外微波少子寿命测试是通过光电导衰减、电阻率分析等技术手段，评估半导体材料中非平衡载流子复合速率的检测方法。该方法采用准稳态光电导（QSSPC）、高频光电导衰减（HF-PCD）等独特原理，可灵敏...

在半导体制造领域，键合晶圆技术广泛应用于三维集成、传感器制造等领域。然而，键合过程中诸多因素会导致晶圆总厚度偏差（TTV）增大，影响器件性能与良品率。因此，探索提高键合晶圆 TTV 质量的方法，对推动...

高精度少子寿命测试是评估半导体材料（如硅、锗）中少数载流子复合速率的关键技术，广泛应用于太阳能电池、半导体制造等领域。少子寿命：去除杂质缺陷可延长寿命，掺入金、铂或电子辐照可缩短寿命。测试方法包括准稳...

红外激光少子寿命 指半导体中非平衡少数载流子在红外激光激发下从产生到复合的平均存活时间。 ‌测试方法红外脉冲激光 激发半导体材料，通过 微波光电导衰减法 （ μ-PCD ）检测电导率变化，从而推算少子...

导电膜，即具有导电性能的薄膜材料，是一种重要的功能性材料，广泛应用于触摸屏、太阳能电池、柔性电路等领域。方阻和电阻率，是衡量导电膜导电性能的重要指标。方阻，全称方块电阻(Sheet Resistanc...

金属膜电阻器是膜式电阻器(Film Resistors)中的一种。它是采用高温真空镀膜技术将镍铬或类似的合金紧密附在瓷棒表面形成皮膜，经过切割调试阻值，以达到最终要求的精密阻值，然后加适当接头切割，并...

半导体材料根据时间先后可以分为三代。第一代为锗、硅等普通单质材料，其特点为开关便捷，一般多用于集成电路。第二代为砷化镓、磷化铟等化合物半导体，主要用于发光及通讯材料。第三代半导体主要包括碳化硅、氮化镓...

碳化硅的厚度范围‌可以从几微米到几毫米不等，具体取决于其应用场景和制造工艺。例如，碳化硅晶圆片的厚度可以达到130微米（um），而碳化硅颗粒的尺寸则有1-3mm、3-5mm等多种规格‌12。碳化硅在不...

非接触式无损测厚仪采用的工作原理是光热红外法。利用光源照射物体表面,通过对激励光源进行强度调制，在材料中产生热波，光源激发的热量通过热波在涂层中向深处传播，这一热波在涂层与基材的边界处反射并最终传播出...