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红外激光少子寿命测试仪

红外激光少子寿命 指半导体中非平衡少数载流子在红外激光激发下从产生到复合的平均存活时间。 ‌
测试方法
红外脉冲激光 激发半导体材料,通过 微波光电导衰减法 ( μ-PCD )检测电导率变化,从而推算少子寿命。该方法利用红外激光产生非平衡载流子,微波探测器检测其发射/反射信号的指数衰减规律,通过拟合信号得出寿命值。

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  • 厂商性质:生产厂家
  • 更新时间:2025-08-09
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产品详情

少子寿命是半导体材料和器件的重要参数。它直接反映了材料的质量和器件特性。能够准确的得到这个参数,对于半导体器件制造具有重要意义。
少子寿命指少子的平均生存时间,寿命标志少子浓度减少到原值的1/e所经历的时间。对太阳能电池来说,少子寿命越短,电池效率越低。
少子,即少数载流子,是半导体物理的概念。 它相对于多子而言。
半导体材料中有电子和空穴两种载流子。如果在半导体材料中某种载流子占少数,导电中起到次要作用,则称它为少子。如:在N型半导体中,空穴是少数载流子,电子是多数载流子;在P型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。红外脉冲激 激发半导体材料,通过 微波光电导衰减  μ-PCD )检测电导率变化,从而推算少子寿命。该方法利用红外激光产生非平衡载流子,微波探测器检测其发射/反射信号的指数衰减规律,通过拟合信号得出寿命值。

影响因素表面复合‌:样品表面状态直接影响测试结果,表面缺陷会加速载流子复合,降低有效少子寿命。 ‌

掺杂浓度‌:p型或n型掺杂会影响多数载流子浓度,间接影响少子寿命。 ‌

  1. 激光功率与波长‌:不同波长激光激发效率不同,功率过高可能破坏样品,需优化参数。 ‌测试设备

少子寿命测试 支持4种激光波长(355nm-1480nm),可测量20ns至几十毫秒的寿命范围,测试硅晶圆片仅需5分钟。 ‌

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