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红外激光少子寿命 指半导体中非平衡少数载流子在红外激光激发下从产生到复合的平均存活时间。 测试方法红外脉冲激光 激发半导体材料,通过 微波光电导衰减法 ( μ-PCD )检测电导率变化,从而推算少子寿命。该方法利用红外激光产生非平衡载流子,微波探测器检测其发射/反射信号的指数衰减规律,通过拟合信号得出寿命值。
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掺杂浓度:p型或n型掺杂会影响多数载流子浓度,间接影响少子寿命。
激光功率与波长:不同波长激光激发效率不同,功率过高可能破坏样品,需优化参数。 测试设备
少子寿命测试仪 支持4种激光波长(355nm-1480nm),可测量20ns至几十毫秒的寿命范围,测试硅晶圆片仅需5分钟。
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