非接触红外少子寿命WCT120测试仪

公司生产的一款专业用于测量硅片等半导体材料少子寿命的测试仪器，‌广泛应用于太阳能电池制造、半导体材料质量评估及工艺监控领域‌。其核心功能是通过准稳态光电导（QSSPC）和瞬态光电导技术，精确测量少数载流子的平均生存时间，从而反映材料的缺陷水平和器件性能潜力。‌‌

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更新时间：2025-12-13
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少子寿命是半导体中少数载流子的平均生存时间，指非平衡少数载流子浓度减少到初始值的1/e所需的时间。该参数直接反映半导体材料质量和器件性能，在N型半导体中空穴为少子，P型半导体中电子为少子，其浓度主要由本征激发决定。少子寿命受复合机理影响，包括直接复合、间接复合、表面复合和Auger复合等。间接跃迁半导体（如硅、锗）的寿命由杂质和缺陷决定，直接跃迁半导体（如砷化镓）寿命普遍较短。通过控制复合中心浓度可调节少子寿命：去除杂质缺陷可延长寿命，掺入金、铂或电子辐照可缩短寿命。测试方法包括准稳态光电导（QSSPC）和瞬态模式，前者适用于低寿命样品，后者用于高寿命样品。少子寿命测试范围覆盖100纳秒至10毫秒，应用领域涵盖材料质量评估、器件分析及工艺监控，尤其在太阳能电池生产中用于优化光电转换效率。碳化硅材料中少子寿命与晶体缺陷浓度相关，通过掺杂可调节其寿命以提升功率器件性能。主要用于光伏、半导体行业，测试硅片、电池片等产品，