硅棒晶棒晶锭BCT400少子寿命测试仪

是基于涡流传感器和红外光致光电导方法直接测量单晶或者多晶硅棒体少子寿命的设备，具有瞬态和准稳态两种测量模式。该设备可探测3mm 深度范围少子寿命，并能输出不同载流子注入水平下的少子寿命值，可实现低电阻率硅单晶少子寿命测量，并能通过软件端光强偏置实现单晶缺陷密度计算

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更新时间：2026-02-07
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是基于涡流传感器和红外光致光电导方法直接测量单晶或者多晶硅棒体少子寿命的设备，具有瞬态和准稳态两种测量模式。该设备可探测3mm 深度范围少子寿命，并能输出不同载流子注入水平下的少子寿命值，可实现低电阻率硅单晶少子寿命测量，并能通过软件端光强偏置实现单晶缺陷密度计算。

用途（高频光电导）

用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量，除需要有一个测量平面外，对样块

体形无严格要求，可测块状和片状单晶寿命。寿命测量可灵敏地反映单晶体

内重金属杂质污染及缺陷存在的情况，是单晶质量的重要检测项目。

2.设备组成

2.1光脉冲发生装置

重复频率＞25次/s 脉宽＞60μｓ光脉冲关断时间＜1μｓ

红外光源波长：1.06～1.09μm（测量硅单晶）脉冲电流：5A～20A

测量系统不需要做表面钝化就能直接测量单晶和多晶硅（锭或块）的少子寿命.
是基于涡流传感器和红外光致光电导方法直接测量单晶或者多晶硅棒体少子寿命的设备，具有瞬态和准稳态两种测量模式。该设备可探测3mm 深度范围少子寿命，并能输出不同载流子注入水平下的少子寿命值，可实现低电阻率硅单晶少子寿命测量，并能通过软件端光强偏置实现单晶缺陷密度计算。