非接触微波法霍尔迁移率高效测试模组

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更新时间：2026-09-12
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非接触霍尔测试系统（微波式非接触霍尔）是无需在样品表面制作金属欧姆接触电极的半导体材料电学参数测试设备，区别于传统四探针 / 接触式霍尔；采用微波 + 磁场耦合原理，无损测试半导体外延片、薄膜材料的电学特性，广泛用于第三代半导体（GaN、SiC）、ITO、石墨烯、二维材料的研发与产线质检，可做单点测量与面扫描 mapping 测试。系统发射微波入射样品表面，同时施加外磁场。样品内载流子在磁场洛伦兹力作用下产生霍尔效应，改变微波的极化方向；系统接收反射回来的不同模式微波信号，通过信号解算，得到 ** 方块电阻、载流子浓度、迁移率、导电类型（N/P 型）** 等关键参数，全程探头不触碰晶圆表面，无需制作电极。GaN、SiC 外延片、ITO、IZO、氧化锌薄膜、石墨烯、碳纳米管、透明导电薄膜等半导体薄膜材料，支持 4～8 英寸晶圆样品。非接触霍尔不损伤样品、不污染晶圆，成品片