霍尔迁移率测试仪

产品描述：

霍尔迁移率测试仪主要利用微波测试原理，非接触式测量射频HEMT结构半导体材料的方阻、迁移率及载流子浓度。可实现单点测试，亦可以实现面扫描的测试功能，具有快速，无损，准确等优势，可用于材料研发及工艺的监测及质量控制。

特点：

霍尔迁移率测试仪适用于迁移率量测范围在100cm²/V · s～3000cm²/V · s的射频HEMT外延片。非接触，非损伤测试，具有测试速度快，

重复性佳，测试敏感性高，可以直接测试产品片等优点。

技术参数：

微波-霍尔法测试半导体方阻及载流子迁移率的原理

原理：

利用微波源发射微波通过波导将微波传输至测试样品表面，在磁场作用下具有不同迁移率的样品对微波的反射效果不同，通过探测反射的微波功率再将其转化为对应的电导张量，从而建立模型可以计算出HEMT 结构的载流子浓度和迁移率。

微波-霍尔法测试半导体方阻核心算法相关性

对应信号和方阻值得拟合曲线，如下图所示：

迁移率Mapping5点测试报告

非接触式无损方块电阻测试仪、晶圆方阻测试仪，方阻测试仪，硅片电阻率测试仪，涡流法高低电阻率分析仪，晶锭电阻率分析仪，涡流法电阻率探头和PN探头测试仪，迁移率（霍尔）测试仪，少子寿命测试仪，晶圆、硅片厚度测试仪，表面光电压仪JPV\SPV。为碳化硅、硅片、氮化镓、氧化镓、衬底和外延厂商提供测试和解决方案。

凭借先进的技术和丰富的产品线，已发展成为中国大陆少数具有一定国际竞争力的半导体专用设备提供商，产品得到众多国内外主流半导体厂商的认可，并取得良好的市场口碑。主要应用领域：碳化硅测试、氮化镓测试、晶圆硅片测试、氧化镓测试、衬底和外延厂商、光伏电池片测试。

霍尔迁移率（Hall mobility）是指Hall系数RH与电导率σ的乘积，即│RH│σ，具有迁移率的量纲, 故特别称为Hall迁移率。表示为μH =│RH│σ。