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表面光电压法(Surface Photovoltage Method,简称SPV法)是通过测量由于光照在半导体材料表面产生的表面电压来获得少数载流子扩散长度的方法。其原理是:用能量大于半导体材料禁带宽度的单色光照射在半导体材料表面,在其内部产生电子-空穴对,受浓度梯度驱动扩散至半导体材料近表面空间电荷区的电子和空穴将被自建电场分离,形成表面光电压JPV\SPV。
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表面光电压法的基本原理:
表面光电压法(Surface Photovoltage Method,简称SPV法)是通过测量由于光照在半导体材料表面产生的表面电压来获得少数载流子扩散长度的方法。其原理是:用能量大于半导体材料禁带宽度的单色光照射在半导体材料表面,在其内部产生电子-空穴对,受浓度梯度驱动扩散至半导体材料近表面空间电荷区的电子和空穴将被自建电场分离,形成光生电压,即表面光电压JPV\SPV。
表面光电压法的应用和优势:
SPV法是表征半导体材料少子扩散长度的主要方法,具有以下优点:
是一种稳态方法,与时间无关,避免了体内和表面复合对测试结果的影响。
一般情况下,表面复合过程不影响少子扩散长度的测试结果,表面复合速率只对表面光电压信号强度产生影响,因此无须特殊处理材料的表面。
表面光电压JPV\SPV是一种无接触的测试方法,测试成本低、易于操作、不容易受到干扰,并且可以实施面扫描(mapping)。