晶锭非接触方阻测试仪

晶锭非接触方阻测试仪介绍：

晶锭，也叫单晶硅棒，是一种纯度硅材料，在电子工业中被广泛应用。晶锭是一种长条状的半导体材料，通常采用Czochralski法或发明家贝尔曼的Float-Zone法制备，直径通常为200mm或300mm。方阻，全称是方块电阻（Sheet Resistance），指薄膜单位面积上的电阻，等于电阻率除以厚度，单位为Ω/□。方块电阻有一个特性，即任意大小的正方形边到边的电阻都是一样的，不管边长是1m还是1mm，它们的方阻都是一样。

对于硅材料，什么时候用电阻率，什么时候用方阻呢？

对硅晶圆或绝缘体上硅（SOI），规格书上通常用电阻率表征其基本电学参数。硅片一般分为高阻硅和低阻硅，高阻硅中的杂质浓度非常低，通常在1012cm-3以下，这使得高阻硅片的电阻率非常高，在103-106Ω·cm之间。相对于低阻硅，高阻硅的制造工艺极为难，电阻越高要求的硅的纯度越高，很多标称的高阻硅经过退火，电阻率都有一定程度的衰减。

方阻这个概念，主要是针对薄膜提出来的，它的提出使MEMS器件电学设计更为简便。它好比一个正方形方块积木，我们知道了方阻值，只要数出它的方块数（电阻的长除以宽），就很容易计算出总电阻。所以，方块和方阻的引入，极大了方便了设计和制造人员之间的沟通。对于多晶硅或者注入单晶硅，我们甚至不需要知道注入深度（结深），只需要测定方阻值，即可轻易完成电路部分的设计。

晶锭非接触方阻测试仪技术参数：