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“隔空测电”:非接触式电阻率测试仪的工作奥秘

更新时间:2026-01-27      浏览次数:9
“隔空测电”:非接触式电阻率测试仪的工作奥秘
非接触式电阻率测试仪主要基于涡流技术或微波/射频电磁场耦合原理实现对材料电阻率的无损测量。以最常见的涡流法为例:当高频交变电流通过激励线圈时,会在其周围产生交变磁场;若将导电样品置于该磁场中,根据法拉第电磁感应定律,样品内部会感应出闭合的涡流。这些涡流又会产生反向磁场,进而影响原激励线圈的阻抗(包括电阻和电感)。而涡流的强度和分布直接受样品电导率(即电阻率的倒数)的影响——电导率越高,涡流越强,对激励线圈阻抗的扰动也越大。  
仪器通过精密测量激励线圈阻抗的变化,并结合已知的几何参数、频率、提离距离等信息,利用电磁场理论模型反演出样品的电阻率。整个过程无需探针接触样品,避免了传统四探针法可能带来的表面划伤、污染或接触电阻误差。  
非接触式电阻率测试仪准备与校准:确保测量精度的前提  
在正式测试前,必须完成一系列准备工作:  
环境检查:确保测试环境温度稳定(通常要求20–25℃)、湿度适中(<60%RH),并远离强电磁干扰源(如大型电机、变压器)。对于洁净室应用,还需满足相应洁净等级要求。  
设备开机预热:开启主机电源,预热15–30分钟,使内部电子元件达到热平衡,保证信号稳定性。  
标准样品校准:使用已知电阻率的标准硅片、石墨片或其他认证参考材料进行校准。将标准样品置于测试平台,运行校准程序,仪器自动调整增益、相位补偿及提离补偿参数,建立测量基准。部分备支持多点校准,以覆盖不同电阻率范围。  
参数设置:根据待测样品类型(如单晶硅、多晶硅、ITO薄膜、金属箔等)、厚度、预期电阻率范围,选择合适的测试频率(通常10kHz–10MHz可调)、激励功率及扫描模式(单点、线扫、面扫)。  
样品放置与定位:影响结果重复性的关键环节  
正确放置样品是获得可靠数据的重要步骤:  
对于片状样品(如晶圆、玻璃基板),需将其平整放置于非金属测试台上,确保无翘曲或异物垫高。  
若设备配备自动定位系统(如CCD视觉对位),可通过软件设定测试区域坐标,实现高重复性定点测量。  
提离距离(探头与样品表面间距)必须保持恒定,通常由非接触式位移传感器实时监控并反馈控制。过大或过小的提离都会引入显著误差。  
执行测量与数据采集:自动化与智能化的体现  
启动测量后,仪器按预设程序执行以下操作:  
激励信号发射:高频信号发生器驱动激励线圈产生交变磁场。  
响应信号接收:检测线圈(或同一激励线圈兼作接收)拾取因涡流效应引起的阻抗变化信号。  
信号处理:模拟前端电路对微弱信号进行放大、滤波,再经高速ADC转换为数字信号。  
算法解算:嵌入式处理器或上位机软件调用反演算法(如最小二乘拟合、神经网络模型等),将阻抗数据转换为电阻率值,并自动补偿温度、厚度、边缘效应等因素。  
结果输出:实时显示电阻率数值、分布图(对于面扫模式)、统计参数(均值、标准差、最大/最小值)等,并可导出CSV、Excel或图像格式。

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