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硅片厚度测试的方法主要包括非接触式光学测量技术,如反射率法、干涉法和激光扫描共聚焦显微镜等1。其中,反射率法是通过测量不同角度下光线的反射率变化来计算硅片厚度,而干涉法则是利用光的干涉现象来测量厚度,这种方法可以测量到非常薄的硅片
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硅片厚度测试的方法主要包括非接触式光学测量技术,如反射率法、干涉法和激光扫描共聚焦显微镜等1。其中,反射率法是通过测量不同角度下光线的反射率变化来计算硅片厚度,而干涉法则是利用光的干涉现象来测量厚度,这种方法可以测量到非常薄的硅片1。
反射率法:通过测量不同角度下光线的反射率变化来计算硅片厚度。
干涉法:利用光的干涉现象来测量厚度,适用于非常薄的硅片。
激光扫描共聚焦显微镜:利用激光扫描和共聚焦技术进行高精度的三维成像和测量。
硅片厚度的测量通常参考国际半导体产业协会(SEMI)颁布的相关标准,如SEMIM1、SEMIM59等1。
硅片厚度测量仪是一种用于测量硅片厚度的设备,操作步骤包括将待测硅片放置在测量仪上,开启仪器并调整参数进行测量并记录数据。维护注意事项包括定期清洁测量仪、避免碰撞或摔落,并按照说明书进行日常维护
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