霍尔迁移率(Hall mobility)是指Hall系数RH与电导率σ的乘积,即│RH│σ,具有迁移率的量纲,故特别称为霍尔迁移率。 表示为μH =│RH│σ。12
霍尔迁移率μH实际上不一定等于载流子的电导迁移率μ,因为载流子的速度分布会影响到电导迁移率,所以只有在简单情况(不考虑速度分布)下才有μH = μ。
霍尔迁移率是测试射频氮化镓芯片使用。“碳化硅的电子迁移率是900,碳化硅MOSFET的沟道迁移率是50,体迁移率是1000" 看到这样的介绍,或许你非常疑惑,为什么同一种材料中有这么多的迁移率?我们在听讲座或者看相关文献的时候,也经常会遇到不同的迁移率:霍尔迁移率,漂移迁移率,沟道迁移率,体迁移率等等。这里,就让我来为大家具体分析一下这些不同的迁移率。大体上来说,迁移率的概念可以分为三种:1. 最基础的迁移率定义(microscopic mobility); 2. 体材料里的迁移率(根据不同的测试方法得出不同的迁移率名称); 3. 晶体管中的迁移率。