公司参与2025碳化硅衬底与外延产业调研调研书

更新时间：2025-11-22

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SiC调研书启动调研‼️

九域半导体科技（苏州）有限公司已参与《2025碳化硅衬底与外延产业调研书》的编写工作。为半导体事业贡献力量！！！

碳化硅（SiC）作为第三代半导体核心材料，凭借耐高温、耐高压、高导热等优异物理特性，已成为新能源汽车、AI服务器、光伏储能、5G通信等战略领域的关键支撑材料。其热导率高达490-500W/mK，是硅的3倍、陶瓷基板的2倍，宽禁带特性使其在2000W高功率场景下仍能稳定工作，成为破解"算力耗电困局。

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