九域半导体获得发明荣誉

我们九域半导体公司申请获得了发明荣誉，摘要显示，本发明公开了一种基于涡流法探头的薄晶锭电阻率检测方法，涉及半导体测量技术领域，解决了在部分情况下待测薄晶锭对应电阻率的测量出现偏差的问题，包括对待测薄晶锭进行电学检测，分析得到待测薄晶锭的计算表面电阻率；基于待测薄晶锭的计算表面电阻率识别待测薄晶锭的薄晶锭种类，结合趋肤效应计算待测薄晶锭的趋肤深度；设定多组与待测薄晶锭相似的对照薄晶锭，对多组对照薄晶锭进行涡流法测试，基于测试结果计算对照薄晶锭的补偿系数；基于补偿系数计算拟合方程并写入上位机，结合拟合方程计算待测薄晶锭的实际电阻率，本发明实现对待测薄晶锭对应电阻率的准确测量，同时还实现待测薄晶锭对应电阻率的自动化与智能化测量