产品展示 PRODUCT
金属膜电阻器是膜式电阻器(Film Resistors)中的一种。它是采用高温真空镀膜技术将镍铬或类似的合金紧密附在瓷棒表面形成皮膜,经过切割调试阻值,以达到最终要求的精密阻值,然后加适当接头切割,并...
半导体材料根据时间先后可以分为三代。第一代为锗、硅等普通单质材料,其特点为开关便捷,一般多用于集成电路。第二代为砷化镓、磷化铟等化合物半导体,主要用于发光及通讯材料。第三代半导体主要包括碳化硅、氮化镓...
碳化硅的厚度范围可以从几微米到几毫米不等,具体取决于其应用场景和制造工艺。例如,碳化硅晶圆片的厚度可以达到130微米(um),而碳化硅颗粒的尺寸则有1-3mm、3-5mm等多种规格12。碳化硅在不...
非接触式无损测厚仪采用的工作原理是光热红外法。利用光源照射物体表面,通过对激励光源进行强度调制,在材料中产生热波,光源激发的热量通过热波在涂层中向深处传播,这一热波在涂层与基材的边界处反射并最终传播出...
非接触式无损测厚仪采用的工作原理是光热红外法。利用光源照射物体表面,通过对激励光源进行强度调制,在材料中产生热波,光源激发的热量通过热波在涂层中向深处传播,这一热波在涂层与基材的边界处反射并最终传播出...
非接触式无损测厚仪采用的工作原理是光热红外法。利用光源照射物体表面,通过对激励光源进行强度调制,在材料中产生热波,光源激发的热量通过热波在涂层中向深处传播,这一热波在涂层与基材的边界处反射并最终传播出...
在半导体制造领域,晶圆的厚度测量是至关重要的一环,它直接关系到产品的质量和性能。为了满足高精度测量的需求,我们研发了一款对射非接触式光谱共焦位移传感器厚度测量设备,专门用于晶圆厚度的精确测量
金刚石膜检测与测试报告 检测项目 金刚石膜的检测项目主要包括以下几个方面:膜厚度、晶体结构、表面粗糙度、附着力、热稳定性及耐磨性等。
关于我们 ABOUT
2021年
公司成立1000万
注册资金28个
专利技术365天
用心服务每一天技术文章 ARTICLES
PN型测试仪是一种常用于电子行业中的工具,主要用于测量半导体材料和器件的特性,尤其是在PN结(P型半导体与N型半导体接触的部分)的性能测试中。PN结是现代电子设备中极其重要的基础元件,广泛应用于二极管、晶体管等器件的制造中。核心工作原理是基于半导体的电性特征。半导体中的P型和N型区域形成PN结,PN结具有电气性质。在没有外加电压的情况下,PN结会形成一个电场,阻碍电流流动。而当施加正向电压时,电流便可以通过PN结流动;而施加反向电压时,电流几乎不会通过,除非电压达到一定值(即...
霍尔迁移率测试仪的使用过程涉及到的步骤霍尔迁移率测试仪的使用过程通常包括以下关键步骤:准备工作:检查仪器:确保霍尔迁移率测试仪及其附件完好无损,检查电源线、连接线等是否齐全。预热仪器:根据仪器要求,可能需要预热一段时间,以确保仪器内部处于稳定状态。记录参数:查看并记录霍尔元件的规格参数,如尺寸、导电类型及材料等,这些参数在后续计算中会用到。连接线路:正确接线:按照仪器说明书或实验要求,将霍尔元件与测试仪正确连接。通常,霍尔元件的工作电流端和霍尔电压输出端需要分别连接到测试仪的...
霍尔迁移率测试仪是一种用于测量半导体材料中载流子迁移率的重要仪器设备。在半导体和电子器件的研发、生产和质量控制中,迁移率作为衡量载流子(电子或空穴)在材料内部运动速度的关键参数,直接影响器件的性能表现。核心原理基于霍尔效应。霍尔效应是指在导体或半导体材料中,载流子在磁场中的偏转导致橫向电势(霍尔电压)的产生。当在样品中施加垂直于电流的磁场时,载流子在洛伦兹力作用下偏向一侧,形成霍尔电压。这个电压与载流子浓度、迁移率、施加电场等参数密切相关。霍尔迁移率测试仪的具体工作流程:1....
无损电阻率测试仪是一种用于测试物质电阻率的仪器,特别适用于不希望对样品造成任何损害的检测场合。这种测试仪广泛应用于工程检测、材料分析以及质量控制等领域。通过不同的物理原理和方法,可以实现对材料电阻率的精确测量,且不会对样品本身产生任何物理或化学上的影响。无损电阻率测试仪的工作原理:1.接触式测量原理通过在材料表面放置电极,施加一定的电流,并测量电压降落。根据欧姆定律\(R=\frac\)(电阻R等于电压V与电流I之比),可以计算出电阻值。而电阻率是电阻与样品的几何...
迁移率测试仪是用于测量材料中载流子(如电子、离子)迁移速率的专业设备,广泛应用于半导体、新能源电池、纳米材料等领域。其通过精确控制电场、温度等条件,量化载流子在材料中的移动能力,为材料性能评估与研发提供关键数据。一、使用前准备(一)设备检查使用前需全面检查迁移率测试仪各部件状态。查看主机外壳是否完好,确认显示屏、操作按钮、接口等无损坏;检查电场发生装置、温度控制系统、数据采集模块等核心组件连接是否稳固。特别要检查测试腔密封性,确保无漏气、漏液现象,避免外部环境干扰测试结果。同...
半绝缘碳化硅与导电性碳化硅在电特性和应用领域上差异显著。半绝缘碳化硅,作为一种电阻率较高的材料,其电阻率范围通常在10^5-10^12Ω.cm,非常适用于高温、高电压环境,如电力电子设备和电动汽车部件。而导电性碳化硅,电阻率低,位于10^-3-10^-2Ω.cm之间,更适合低压、高电流场景,如功率半导体和射频电子器件。此外,由于成分和制备工艺的差异,导电性碳化硅的成本相对较高,而半绝缘碳化硅则因其电性能要求较低而成本更为亲民。因此,在选择材料时,需根据具体应用环境来决定:高温...