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外延电阻率方阻测试仪:外延是半导体工艺当中的一种。在bipolar工艺中,硅片最底层是P型衬底硅(有的加点埋层);然后在衬底上生长一层单晶硅,这层单晶硅称为外延层;再后来在外延层上注入基区、发射区等等...
衬底电阻率方阻测试仪:衬底,或称基片(substrate),是指在半导体器件制造过程中用来支持其他材料或结构的底层材料。衬底的物理性质包括其晶体结构、机械强度、热导率、膨胀系数等,而化学性质则涵盖其纯...
玻璃方阻测试仪应用ITO导电玻璃的时候,往往会提到一个重要的参数,这个参数就是:方阻,也称方块电阻。同时,我们也可以将其理解为ITO的表面电阻率。
金属薄膜方阻测试仪:金属薄膜方阻,方块电阻又称膜电阻,是用于间接表征薄膜膜层、玻璃镀膜膜层等样品上的真空镀膜的热红外性能的测量值,该数值大小可直接换算为热红外辐射率。方块电阻的大小与样品尺寸无关,其单...
氧化镓电阻率方阻测试仪:Ga2O3是一种透明的氧化物半导体材料,在光电子器件方面有广阔的应用前景,被用作于Ga基半导体材料的绝缘层,以及紫外线滤光片。它还可以用作O2化学探测器
氮化镓电阻率方阻测试仪:氮化镓是一种无机物,化学式GaN,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿,硬度很高。
碳化硅电阻率方阻测试仪:1、电阻率ρ不仅和导体的材料有关,还和导体的温度有关。在温度变化不大的范围内:几乎所有金属的电阻率随温度作线性变化,即ρ=ρ0(1+at)。式中t是摄氏温度,ρ0是O℃时的电阻...
晶圆电阻率测试仪:电阻率(resistivity)是用来表示各种物质电阻特性的物理量。在温度一定的情况下,有公式R=ρl/S,其中ρ就是电阻率,l为材料的长度,S为面积。可以看出,材料的电阻大小与材料...
关于我们 ABOUT
2021年
公司成立1000万
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方块电阻测试仪在薄膜或薄层半导体材料中的应用方块电阻测试仪是一种用于测量半导体材料电阻率的仪器,通常用于涂层和薄膜半导体材料的电阻率测量。这种仪器能够测量样品的电导率和电阻率,以及材料的载流子浓度和迁移率等参数。在涂层和薄膜半导体材料中,方块电阻测试仪可以用于测量材料厚度、均匀性和电性能等特性。这些特性对于评估材料的质量和控制生产过程非常重要。此外,方块电阻测试仪还可以用于研究半导体材料中的界面反应和载流子输运机制等科学问题。非接触式测试方块电阻也是一个好的方法和选择。
方块电阻又称膜电阻,是用于间接表征薄膜膜层、玻璃镀膜膜层等样品上的真空镀膜的热红外性能的测量值,该数值大小可直接换算为热红外辐射率。方块电阻的大小与样品尺寸无关,其单位为Siements/sq,后增加欧姆/sq表征方式,该单位直接翻译为方块电阻或者面电阻,用于膜层测量又称为膜层电阻。方块电阻有一个特性,即任意大小的正方形测量值都是一样的,不管边长是1米还是0.1米,它们的方阻都是一样,这样方阻仅与导电膜的厚度等因素有关,表征膜层致密性,同时表征对热红外光谱的透过能力,方块电阻...
非接触霍尔迁移率是指通过非接触霍尔效应测量技术获得的迁移率值。霍尔迁移率(Hallmobility)是Hall系数RH与电导率σ的乘积,即μH=│RH│σ12。这种迁移率与传统的范德堡霍尔测试法相比,具有无损测量和分层测试等优点,能够更准确地测量载流子浓度和迁移率,特别是在复杂结构材料中3。测试方法非接触霍尔迁移率测试通常利用非接触霍尔测量技术,通过采集功率数据并进行数据处理,以获得载流子的迁移率和密度信息。这种方法可以消除不具物理意义的映像峰,提供更全面的载流子种类...
CE认证,即只限于产品不危及人类、动物和货品的安全方面的基本安全要求,而不是一般质量要求,协调指令只规定主要要求,一般指令要求是标准的任务。因此准确的含义是:CE标志是安全合格标志而非质量合格标志。是构成欧洲指令核心的"主要要求"。[1]“CE”标志是一种安全认证标志,被视为制造商打开并进入欧洲市场的护照。CE代表欧洲统一(CONFORMITEEUROPEENNE)。在欧盟市场“CE”标志属强制性认证标志,不论是欧盟内部企业生产的产品,还是其他国家生产的产品,要想在欧盟市场上...
霍尔迁移率测试仪是一种用于测量半导体材料电荷载流子迁移率的实验仪器。电荷载流子的迁移率是指在外加电场作用下,载流子(电子或空穴)移动的速率,是表征半导体电学性能的重要参数之一。通过霍尔效应的原理,能够对材料中的载流子进行精确的定量分析,进而获取载流子的迁移率、浓度、类型等信息。霍尔迁移率测试仪的工作原理:1.样品准备:待测试的半导体样品需要根据测试仪的要求进行切割、处理和表面清洁。样品通常是薄片状,并具有一定的尺寸,测试仪通过固定样品并确保其与电流路径和磁场方向正确对齐。2....
硅片电阻率测试仪的应用领域半导体芯片制造在半导体芯片制造过程中,硅片电阻率是影响芯片性能的重要参数之一。通过使用对硅片进行严格的电阻率控制,可以确保芯片的质量和性能稳定。例如,在制造晶体管、二极管等半导体器件时,需要根据设计要求选择合适的电阻率范围,以保证器件的电气特性符合要求。此外,在芯片封装前,也需要对硅片进行电阻率测试,以确保芯片在后续的封装和使用过程中不会出现性能问题。科研实验在半导体材料研究和开发领域,科研人员需要对各种新型半导体材料的电阻率进行测量和分析,以探索其...
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