半导体材料根据时间先后可以分为三代。第一代为锗、硅等普通单质材料，其特点为开关便捷，一般多用于集成电路。第二代为砷化镓、磷化铟等化合物半导体，主要用于发光及通讯材料。第三代半导体主要包括碳化硅、氮化镓...

碳化硅的厚度范围‌可以从几微米到几毫米不等，具体取决于其应用场景和制造工艺。例如，碳化硅晶圆片的厚度可以达到130微米（um），而碳化硅颗粒的尺寸则有1-3mm、3-5mm等多种规格‌12。碳化硅在不...

非接触式无损测厚仪采用的工作原理是光热红外法。利用光源照射物体表面,通过对激励光源进行强度调制，在材料中产生热波，光源激发的热量通过热波在涂层中向深处传播，这一热波在涂层与基材的边界处反射并最终传播出...

非接触式无损测厚仪采用的工作原理是光热红外法。利用光源照射物体表面,通过对激励光源进行强度调制，在材料中产生热波，光源激发的热量通过热波在涂层中向深处传播，这一热波在涂层与基材的边界处反射并最终传播出...

非接触式无损测厚仪采用的工作原理是光热红外法。利用光源照射物体表面,通过对激励光源进行强度调制，在材料中产生热波，光源激发的热量通过热波在涂层中向深处传播，这一热波在涂层与基材的边界处反射并最终传播出...

在半导体制造领域，晶圆的厚度测量是至关重要的一环，它直接关系到产品的质量和性能。为了满足高精度测量的需求，我们研发了一款对射非接触式光谱共焦位移传感器厚度测量设备，专门用于晶圆厚度的精确测量

金刚石膜检测与测试报告 检测项目 金刚石膜的检测项目主要包括以下几个方面：膜厚度、晶体结构、表面粗糙度、附着力、热稳定性及耐磨性等。

硅片厚度测试的方法主要包括非接触式光学测量技术，如反射率法、干涉法和激光扫描共聚焦显微镜等‌‌1。其中，反射率法是通过测量不同角度下光线的反射率变化来计算硅片厚度，而干涉法则是利用光的干涉现象来测量厚...

非接触式半绝缘方阻测量技术可以广泛应用于各种领域,比如材料表面导电性测试、薄膜导电性测量、电路板测试等。它具有测量快速、精度高、不损伤被测物体等优点。

半绝缘电阻率通常介于1-1000欧姆·厘米之间，是描述半绝缘材料导电性能的关键参数。这种材料在电子工业中应用广泛，特别是在制造半导体器件、绝缘层和光电材料等方面。非接触半绝缘电阻率可测试该产...

玻璃领域 半导体玻璃的电阻率及某些物理化学性质在光、电、热等作用下可发生显著改变，从而赋予其的性能。半导体玻璃已广泛应用于光电倍增器、存储器件、电子开关等领域。

晶锭与晶片在半导体行业中扮演着不同的角色，它们之间的区别主要体现在形态、制备方式及应用领域上。首先，晶锭，或称为单晶硅棒，是一种长条状的半导体材料，通常采用特定方法制备，直径多为200mm或300mm...