半绝缘电阻率通常介于1-1000欧姆·厘米之间，是描述半绝缘材料导电性能的关键参数。这种材料在电子工业中应用广泛，特别是在制造半导体器件、绝缘层和光电材料等方面。非接触半绝缘电阻率可测试该产...

玻璃领域 半导体玻璃的电阻率及某些物理化学性质在光、电、热等作用下可发生显著改变，从而赋予其的性能。半导体玻璃已广泛应用于光电倍增器、存储器件、电子开关等领域。

晶锭与晶片在半导体行业中扮演着不同的角色，它们之间的区别主要体现在形态、制备方式及应用领域上。首先，晶锭，或称为单晶硅棒，是一种长条状的半导体材料，通常采用特定方法制备，直径多为200mm或300mm...

随着光伏产业的迅猛发展，生产效率和产品质量的提升已成为行业关注的焦点。在光伏电池片的生产中，方阻检测是确保电池片质量和性能的关键环节之一。传统的方阻检测方法大多依赖接触式测试，这不仅容易损伤材料，还难...

主要利用结光电压技术非接触测试具有P/N或N/P结构的样品的方阻(发射极薄层方阻），本仪器为非接触，非损伤测试，具有测试速度快，重复性佳，测试敏感性高，可以直接测试产品片等优点。

在霍尔效应传感器中，自由电子的移动能力通过迁移率来量化，这是衡量电子在材料中移动难易程度的关键指标。迁移率典型范围一般在5至50平方厘米/伏秒之间详情介绍‌我公司特点非接触霍尔迁移率（Hall mob...

在霍尔效应传感器中，自由电子的移动能力通过迁移率来量化，这是衡量电子在材料中移动难易程度的关键指标。迁移率典型范围一般在5至50平方厘米/伏秒之间

即少数载流子寿命。光生电子和空穴从一开始在半导体中产生直到消失的时间称为寿命。载流子寿命就是指非平衡载流子的寿命。而非平衡载流子一般也就是非平衡少数载流子（因为只有少数载流子才能注入到半导体内部、并积...

外延电阻率方阻测试仪：外延是半导体工艺当中的一种。在bipolar工艺中，硅片最底层是P型衬底硅（有的加点埋层）；然后在衬底上生长一层单晶硅，这层单晶硅称为外延层；再后来在外延层上注入基区、发射区等等...

衬底电阻率方阻测试仪：衬底，或称基片（substrate），是指在半导体器件制造过程中用来支持其他材料或结构的底层材料。衬底的物理性质包括其晶体结构、机械强度、热导率、膨胀系数等，而化学性质则涵盖其纯...

玻璃方阻测试仪应用ITO导电玻璃的时候，往往会提到一个重要的参数，这个参数就是：方阻，也称方块电阻。同时，我们也可以将其理解为ITO的表面电阻率。

金属薄膜方阻测试仪：金属薄膜方阻，方块电阻又称膜电阻，是用于间接表征薄膜膜层、玻璃镀膜膜层等样品上的真空镀膜的热红外性能的测量值，该数值大小可直接换算为热红外辐射率。方块电阻的大小与样品尺寸无关，其单...