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  • TCO薄膜玻璃方阻测试仪
    TCO薄膜玻璃方阻测试仪

    TCO导电玻璃是一种在玻璃表面通过物理或化学方法镀上一层透明导电氧化物薄膜的功能材料,主要成分为氟掺杂氧化锡(SnO2:F),具有透光导电特性。其核心性能指标包括透光率与方阻值的综合参数FTC值,需满...

  • TCO膜薄膜方阻测试系统
    TCO膜薄膜方阻测试系统

    TCO导电玻璃是一种在玻璃表面通过物理或化学方法镀上一层透明导电氧化物薄膜的功能材料,主要成分为氟掺杂氧化锡(SnO2:F),具有透光导电特性。其核心性能指标包括透光率与方阻值的综合参数FTC值,需满...

  • 非接触霍尔效应测试仪
    非接触霍尔效应测试仪

    非接触霍尔测试仪是一种基于霍尔效应原理设计的测量设备,主要用于检测磁场强度、电流、位移等物理量,而无需与被测物体直接接触,其核心部件是霍尔传感器,通过感应磁场变化输出电信号,具有高精度、快速响应和抗干...

  • 非接触霍尔测试系统
    非接触霍尔测试系统

    非接触霍尔测试仪是一种基于霍尔效应原理设计的测量设备,主要用于检测磁场强度、电流、位移等物理量,而无需与被测物体直接接触,其核心部件是霍尔传感器,通过感应磁场变化输出电信号,具有高精度、快速响应和抗干...

  • 少数载流子寿命测试
    少数载流子寿命测试

    载流子寿命就是指非平衡载流子的寿命。而非平衡载流子一般也就是非平衡少数载流子(因为只有少数载流子才能注入到半导体内部、并积累起来,多数载流子即使注入进去后也就通过库仑作用而很快地消失了),所以非平衡载...

  • 手持式非接触晶锭晶棒电阻率测试仪
    手持式非接触晶锭晶棒电阻率测试仪

    手持式电阻测试仪是用于现场快速测量电阻值的便携设备,适用于电力、工业及电池检测等领域‌,其核心功能包括绝缘电阻、直流电阻或回路电阻的精准测量,测量范围覆盖微欧级(μΩ)至兆欧级(MΩ),精度可达...

  • 硅棒晶棒晶锭BCT400少子寿命测试仪
    硅棒晶棒晶锭BCT400少子寿命测试仪

    是基于涡流传感器和红外光致光电导方法直接测量单晶或者多晶硅棒体少子寿命的设备,具有瞬态和准稳态两种测量模式。该设备可探测3mm 深度范围少子寿命,并能输出不同载流子注入水平下的少子寿命值,可实现低电阻...

  • 非接触方阻-霍尔迁移率一体机
    非接触方阻-霍尔迁移率一体机

    “方阻霍尔迁移率”这一表述通常指的是在半导体材料电学特性测量中,同时或关联地获取‌方块电阻(方阻)‌和‌霍尔迁移率‌这两个关键参数。它们是表征材料导电性能的核心指标,常通过霍尔效应测量技术联合获得。‌...

  • 锂电ITO薄膜非接触方阻测试仪
    锂电ITO薄膜非接触方阻测试仪

    在太阳能电池的沉积工艺中,制备高性能的ITO薄膜是其首要任务。电池厂商在制备ITO薄膜时,往往需要考虑自身的方阻与影响ITO薄膜方阻的因素,从而在了解的基础上更好的解决对ITO薄膜方阻有不利影响的因素...

  • 非接触红外少子寿命WCT120测试仪
    非接触红外少子寿命WCT120测试仪

    公司生产的一款专业用于测量硅片等半导体材料少子寿命的测试仪器,‌广泛应用于太阳能电池制造、半导体材料质量评估及工艺监控领域‌。其核心功能是通过准稳态光电导(QSSPC)和瞬态光电导技术,精确测量少数载...

  • 非接触少子寿命BCT-400
    非接触少子寿命BCT-400

    BCT-400是生产的专业少子寿命测试仪,主要用于光伏行业单晶/多晶硅锭的载流子寿命检测,具有非接触测量、瞬态/准稳态双模式等特点

  • 高精度半绝缘碳化硅方阻测试仪
    高精度半绝缘碳化硅方阻测试仪

    半绝缘碳化硅的方阻、电阻率范围通常在10⁵—10¹²Ω·cm之间,具体数值取决于材料纯度、掺杂工艺及测量方法。以下是关键信息:电阻率范围标准范围:10⁵—10¹...

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