非接触式单点薄层电阻测量系统。该装置包含一个涡流传感器组，感应弱电流到导电薄膜和材料。非接触式薄膜方块电阻测量仪试样中的感应电流产生与测量对象的片电阻相关的电磁场。电涡流技术不依赖于表面特征或形貌。此...

表面光电压法（Surface Photovoltage Method，简称SPV法）是通过测量由于光照在半导体材料表面产生的表面电压来获得少数载流子扩散长度的方法。其原理是：用能量大于半导体材料禁带宽...

无损方块电阻测试仪包含一个涡流传感器组，感应弱电流到导电薄膜和材料。非接触式薄膜方块电阻测量仪试样中的感应电流产生与测量对象的片电阻相关的电磁场。电涡流技术不依赖于表面特征或形貌。此外，非接触式单点方...

晶锭非接触方阻测试仪：晶锭，也叫单晶硅棒，是一种纯硅材料，在电子工业中被广泛应用。晶锭是一种长条状的半导体材料，通常采用Czochralski法或发明家贝尔曼的Float-Zone法制备，直径通常为2...

晶锭涡流法电阻率测试仪：电阻率是用来表示各种物质电阻特性的物理量。某种物质所制成的原件(常温下20°C)的电阻与横截面积的乘积与长度的比值叫做这种物质的电阻率。电阻率与导体的长度、横截面积等...

霍尔迁移率（Hall mobility）是指‌Hall系数RH与‌电导率σ的乘积，即│RH│σ，具有迁移率的量纲‌。其表达式为μH =│RH│σ。‌12定义和计算方法霍尔迁移率是Hall系数RH与电导...

‌‌涡流法方阻测试仪的方阻是指一个正方形‌薄膜导电材料边到边的电阻‌，也称为方块电阻或‌膜电阻。方阻是衡量薄膜状导电材料（如‌蒸发铝膜、‌导电漆膜、印制电路板铜箔膜等）厚度的一个参数，其大小与材料的电...

是一款汞探针CV自动图形扫描测量系统。它使用高频CV测量分析系统，可以对75mm、100mm、125mm、150mm、200mm（以及300mm）直径的测试片进行测量和自动成图。该系统采用汞探针设计，...

电化学EC-V剖面浓度测试仪可高效、准确的测量半导体材料（结构，层）中的掺杂浓度分布。选用合适的电解液与材料接触、腐蚀，从而得到材料的掺杂浓度分布。电容值电压扫描和腐蚀过程由软件全自动控制。

非接触式无损方块电阻测试仪、晶圆方阻测试仪，方阻测试仪，硅片电阻率测试仪，涡流法高低电阻率分析仪，晶锭电阻率分析仪，涡流法电阻率探头和PN探头测试仪，迁移率（霍尔）测试仪，少子寿命测试仪，晶圆、硅片厚...

我司凭借先进的技术和丰富的产品线，已发展成为中国大陆少数具有一定国际竞争力的半导体专用设备提供商，主营非接触方阻测试仪、晶圆方阻测试仪，方阻测试仪，硅片电阻率测试仪，涡流法高低电阻率分析仪，晶锭电阻率...

霍尔迁移率测试仪主要利用微波测试原理，非接触式测量射频HEMT结构半导体材料的方阻、迁移率及载流子浓度。可实现单点测试，亦可以实现面扫描的测试功能，具有快速，无损，准确等优势，可用于材料研发及工艺的监...